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远竹:

2018-08-16 14:11 来源:凤凰网

  远竹:

  2017年,我们共举办了2场中国发展论坛,第一场在天津举办,以“共创智能生活·共享健康中国”为主题。巴音朝鲁在讲话中指出,过去的一年,全省各民主党派、工商联和无党派人士始终高举中国特色社会主义伟大旗帜,牢牢把握团结和民主两大主题,坚持正确政治方向,坚持服务中心大局,坚持主动担当作为,坚持联系服务群众,坚持汇集智慧力量,为全省经济社会持续健康发展作出了重要贡献。

美好蓝图化为生动现实,必须有能够担负起新时代使命的坚强领导集体历史长河中,总有几个关键节点,深刻影响着一个国家、一个民族的复兴征程——2016年10月,党的十八届六中全会确立了习近平总书记党中央的核心、全党的核心地位,标志着一个拥有8900多万党员的大党更加成熟、更加坚强、更加团结、更有战斗力;2017年金秋,党的十九大把习近平新时代中国特色社会主义思想写入党章,党的十九届一中全会选举习近平继续担任中共中央总书记、中共中央军委主席,进一步凝聚起全党意志;2018年初春,十三届全国人大一次会议选举习近平继续担任国家主席、国家军委主席。当大会宣布计票结果后,代表们起立并报以长时间热烈掌声。

  9时15分,总监票人、监票人检查电子票箱和电子选举系统后,工作人员开始分发选票。2017年,我们共举办了2场中国发展论坛,第一场在天津举办,以“共创智能生活·共享健康中国”为主题。

  民盟的优良传统正是在这些前辈先贤的感召和一代代盟员的努力下逐渐形成的。当习近平走进会场时,全场响起热烈掌声。

中共中央政治局常委、全国政协十三届一次会议主席团会议主持人汪洋参加看望和讨论。

  我相信,作为中共中央的领导核心、国家主席、中央军委主席,您将带领中国人民胜利实现把中国建成富强民主文明和谐美丽的社会主义现代化强国目标,为地区乃至世界和平、稳定和繁荣作出重要贡献。

  要狠抓作风建设,驰而不息纠“四风”、改作风,发扬求真务实、苦干实干的精神,提振时不我待、只争朝夕的状态,推动统战工作取得实效。香港特区政制及内地事务局前局长谭志源代表表示,将习近平新时代中国特色社会主义思想写入宪法,让“一国两制”事业在宪法层面的保障进一步增强。

  (记者邓伟强闫书敏)

  全国政协副主席何厚铧出席研讨会开幕式。(主持人:杨丽娜 视频记者:关萌 视频剪辑:实习生郭冰玉)

  真抓的实劲“抓落实来不得花拳绣腿,光喊口号、不行动不行”“只有干出来的精彩,没有编出来的辉煌。

  春节前夕,廉毅敏看望慰问彭堃墀、金智新、王世民等三位各方面杰出人才,刘正、李骏虎等两位党外代表人士。

  作为经济学家,陶公学贯中西,著述丰硕,在世界经济、马克思主义经济学、经济思想史等研究领域均取得突出成就;作为教育家,他终生从事教育工作,培养了一大批德才兼备的教学、科研人才,他就教育问题提出的意见建议,直到今天仍闪耀着思想光辉;作为社会活动家和民盟领导人,他尽职尽责地当好执政党的“诤友”,促进国家决策科学化、民主化,为国家经济社会发展,为民盟事业和多党合作事业作出了卓越贡献。”“今年2月总书记到凉山彝族自治州昭觉县三岔河乡三河村,走到这么偏远的地方,和彝族群众手拉手、坐在火塘边了解民情、了解民意,这一点值得我们认真学习。

  

  远竹:

 
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氧化物阻变存储器机理与性能调控

获奖项目:氧化物阻变存储器机理与性能调控

  主要完成人:刘明(中国科学院微电子研究所),刘琦(中国科学院微电子研究所),管伟华(中国科学院微电子研究所),龙世兵(中国科学院微电子研究所),王艳(中国科学院微电子研究所)

  推荐单位:中国科学院

  获奖等级:国家自然科学奖二等奖

  项目简介:

高性能数据存储是信息科学的重要基础,氧化物阻变存储器(Oxide based Resistive Random Access Memory: O-RRAM)具有优异的存储性能,是国际微电子学科的研究前沿和热点。O-RRAM的阻变机理和性能调控涉及氧化还原、载流子迁移等物理化学效应导致的材料成分、结构和能带变化,是一个挑战性难题,解决该难题将为发展新原理的信息存储奠定科学基础。

该项目在国家自然基金杰青和创新群体、科技部973等项目持续支持下,揭示了O-RRAM的高低阻态转变机理,发现了存储性能调控规律,提出了提高调控参数一致性的方法。主要科学发现如下:

1、在纳米尺度揭示了阻变机理 发展了器件原位表征的透射电子显微镜(TEM)制样方法,在纳米尺度下观察到O-RRAM导电通路形貌、结构、成分、生长/断裂等微观信息,揭示了氧化物导电桥阻变存储器中电子传输对阻变的作用机理,建立了局域氧化/还原效应主导的导电通路生长/断裂模型。惠普实验室首席科学家J. J. Yang等在Nature Nanotechnology综述中四次引用代表性论文1,并评价“在纳米尺度实时观测到阻变过程中材料成分和结构变化是非常有价值的”。

2、发现了功能层掺杂调控存储性能的规律 揭示了通过功能层掺杂降低阴阳离子(氧空位、金属离子等)形成能和迁移势垒的调控机理,发现了功能层阴阳离子分布均匀性对存储性能的作用规律,首次提出了功能层掺杂的存储性能调控方法,解决了原有O-RRAM良率低、性能差的难题。台湾交通大学曾俊元教授(IEEE Fellow)在综述中用近二页篇幅引用代表性论文4-5,并评价“刘研究组首次提出掺杂纳米晶改善阻变存储器性能的方法”。

3、提出了局域电场增强调控器件参数一致性的方法 阐明了导电通路随机生长是器件参数离散的物理本质,发现了功能层电场强度与导电通路生长速率的指数规律,提出了增强局域电场实现导电通路可控生长的方法,完成了器件制备,大幅度提高了器件参数的一致性。纽约州立大学石溪分校Likharev教授(APS/IEEE Fellow)在综述中引用代表性论文8,并评价在参数一致性的问题上“中科院(该项目组)等是最值得关注的”。

8篇代表性论文被SCI他引750次,20篇主要论文被SCI他引1158次。在EDL/TED(该领域最权威期刊)、Adv. Mater.等期刊共发表相关论文68篇,二项工作入选ITRS(国际半导体发展路线图),6篇论文入选ESI高被引论文榜。作为典型进展被莱布尼兹奖获得者Waser、纽约州立大学石溪分校卓越教授Likharev等知名学者写入15本著作和40篇综述。基于该项目的科学发现,成功研制了基于HfO2的1kb O-RRAM,电子学会组织的鉴定会结论为“电路性能国际领先”。

全部成果由该项目组独立完成。第一完成人是杰青和创新群体负责人,973项目首席科学家,第二、四完成人获国家优秀青年基金,第二完成人获卢嘉锡青年人才奖。第一完成人在重要国际会议做邀请报告30次。该项目主要成果获得2015年度中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖。

 

 项目主要完成人

 

阻变存储器简介

 

阻变模型与机理

 

性能调控规律

 

参数一致性方法

 


基于HfO2的1kb RRAM

 

 

 

 

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